Kioxia dan Western Digital Umumkan Memori Flash 3D Generasi ke-6
Kioxia Corporation dan Western Digital Corp. umumkan hasil pengembangan teknologi memori flash 3D generasi keenam yang memiliki 162 lapisan. Pengumuman ini menandai pencapaian 20 tahun kemitraan usaha bersama kedua perusahaan.
“Melalui kemitraan kami yang kuat dan telah berlangsung selama dua dekade ini, Kioxia dan Western Digital telah berhasil menciptakan kapabilitas yang tak tertandingi di bidang manufaktur dan R&D,” kata Masaki Momodomi, Chief Technology Officer, Kioxia.
Teknologi memori flash 3D generasi keenam ini menghasilkan densitas tertinggi sepanjang sejarah perusahaan dan menjadikannya teknologi tercanggih hingga saat ini dan mampu memanfaatkan berbagai inovasi teknologi dan manufaktur.
Bersama-sama, kedua perusahaan ini mampu hasilkan lebih dari 30 persen bit memori flash dunia dan tetap kokoh pada misi dengan misi mereka dalam memberikan kapasitas, kinerja, serta keandalan yang luar biasa dengan biaya yang terjangkau.
Masing- masing berperan memberikan nilai tambah pada berbagai aplikasi yang berpusat pada data, mulai dari elektronik pribadi hingga pusat data serta aplikasi baru yang menggunakan jaringan 5G, kecerdasan buatan, dan sistem otonom.
Arsitektur Baru, Inovasi Baru
Memori flash 3D generasi keenam ini memiliki arsitektur yang lebih canggih dari memory hole dengan susunan konviensional 8-stagger dan mencapai kepadatan sususan sel lateral hingga 10 persen lebih besar dibandingkan dengan teknologi generasi kelima.
“Saat Hukum Moore mencapai batas fisiknya di seluruh industri semikonduktor, ada satu tempat di mana Hukum Moore melanjutkan relevansinya - hanya dalam sekejap,” kata Dr. Siva Sivaram, Presiden Teknologi & Strategi, Western Digital.
Kemajuan penskalaan lateral ini, dikombinasikan dengan 162 lapisan memori vertikal yang ditumpuk, memungkinkan pengurangan ukuran cetakan sebesar 40 persen dibandingkan dengan teknologi penumpukan 112 lapisan, sehingga dapat mengefisiensikan biaya.
Tim Kioxia dan Western Digital juga menerapkan penempatan CMOS Circuit Under Array dan operasi empat mesin yang dapat memberikan peningkatan hampir 2,4 kali kinerja program dan peningkatan 10 persen dalam latensi baca dibandingkan dengan generasi sebelumnya.
Kinerja I/O juga meningkat sebanyak 66 persen, yang membuat generasi antarmuka berikutnya mendukung peningkatan permintaan akan kecepatan transfer yang lebih cepat.
Untuk melanjutkan kemajuan teknologi dan memenuhi permintaan data di dunia yang terus meningkat, memori flash 3D dirasa menjadi pendekatan baru yang lebih penting bagi mereka untuk para konsumen.
Melalui pembaharuan generasi ini, Kioxia dan Western Digital memperkenalkan inovasi dalam penskalaan vertikal dan lateral untuk mencapai kapasitas yang lebih besar dalam cetakan yang lebih kecil dengan lapisan yang lebih sedikit.
Inovasi ini pada akhirnya dapat memberikan kinerja, keandalan, dan efisiensi biaya sesuai kebutuhan pelanggan.
Secara keseluruhan, teknologi memori flash 3D baru mengurangi biaya per bit, serta meningkatkan bit yang diproduksi per wafer hingga 70 persen, dibandingkan dengan generasi sebelumnya.
Kioxia dan Western Digital terus berupaya mendorong inovasi untuk memastikan penskalaan berkelanjutan guna memenuhi kebutuhan pelanggan dan beragam aplikasi mereka.
